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低氣壓試驗(yàn)電子元器件的目的和標(biāo)準(zhǔn)-艾斯瑞
電子元器件是很多行業(yè)經(jīng)常使用的元器件之一,電子元器件的可靠性會(huì)受到很多因素的綜合影響,尤其是電子元器件處于低壓環(huán)境時(shí),其散熱、電氣性能和密封性能也會(huì)受到影響,從而影響設(shè)備的整體性能穩(wěn)定性。因此,對(duì)電子元器件進(jìn)行低壓試驗(yàn)具有重要意義。電子元器件的低壓測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和條件是什么?
電子元件低壓試驗(yàn)的目的:
通常有以下三種:
1)確定產(chǎn)品在常溫下能否承受低壓環(huán)境,在低壓環(huán)境下能否正常工作。以及承受氣壓快速變化的能力。
2)確定部件和材料在常溫低氣壓下承受電擊穿的能力,確定密封部件承受氣壓差而不被破壞的能力,確定低氣壓對(duì)部件工作特性的影響。
3)確定當(dāng)部件和材料的氣壓降時(shí),空氣和其他絕緣材料的絕緣強(qiáng)度削弱了抵抗電擊穿故障的能力。

電子元器件的低壓試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)參考如下:
1) G J B 150.2A-2009軍用設(shè)備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第2部分低壓(高空)試驗(yàn);
2) G J B 360B-2009電子電氣元件試驗(yàn)方法105低壓試驗(yàn)(相當(dāng)于美國(guó)標(biāo)準(zhǔn)M IL-STD-202F);
3) G J B 548B-2005微電子器件的試驗(yàn)方法和程序1001低氣壓(高空作業(yè))標(biāo)準(zhǔn)M IL-STD-883D);
4) G B2421—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)通則》;
5) GB/T 2423.25—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》Z/AM低溫/低壓綜合試驗(yàn)方法;
6) GB/T 2423,21—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》試驗(yàn)M低壓試驗(yàn)方法;
7) GB 2423.27—2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》試驗(yàn)Z/AM D高溫/低壓綜合試驗(yàn)方法;
8) GB/T 2423、26—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》試驗(yàn)Z/BM高溫/低壓綜合試驗(yàn)方法;
9) GB/T 2424.15—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》。
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